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半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力转换装置

发明专利未知
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25权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

日野泰成

申请日

Apr 3, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10W 70/65 (2026.01)H10W 70/05 (2026.01)H02M 1/00 (2007.01)

本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力转换装置,提供实现稳定的激光接合而具有高的可靠性的半导体装置。半导体装置包含电路图案以及端子。电路图案被设置于绝缘层的上表面,且与半导体元件电连接。端子包含与电路图案接合的接合部,且能够与外部电路连接。接合部包含与电路图案固相接合的区域和与电路图案激光接合的区域。