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形成半导体封装件的方法以及半导体封装件

发明专利未知
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

朴志祜

申请日

Jan 22, 2026

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10W 74/01 (2026.01)H10W 74/10 (2026.01)H10W 90/20 (2026.01)

本申请涉及形成半导体封装件的方法以及半导体封装件。形成半导体封装件的方法包括以下步骤:形成包括基底芯片、硅层以及在基底芯片和硅层之间的粘合层的载体芯片。核心芯片层叠在包括顶部芯片的晶圆上。载体芯片层叠在核心芯片上。包封层形成在晶圆上以覆盖核心芯片和载体芯片。去除硅层和粘合层。切割包封层和晶圆。

§ Ⅵ

专利附图

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