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钴和钌的选择性沉积及相关结构
发明专利未知
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18权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
C23C 16/04 (2006.01)C23C 16/06 (2006.01)C23C 16/455 (2006.01)C23C 16/52 (2006.01)
描述选择性地将钴或钌晶种层沉积到半导体衬底上的方法、在所述半导体衬底上形成导电触点的方法及根据所述方法形成的半导体衬底。
IPC 分类
描述选择性地将钴或钌晶种层沉积到半导体衬底上的方法、在所述半导体衬底上形成导电触点的方法及根据所述方法形成的半导体衬底。