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抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂图案的形成方法和半导体装置的制造方法

发明专利未知
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

光武祐希

申请日

Mar 24, 2025

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

G03F 7/11 (2006.01)G03F 7/26 (2006.01)G03F 7/40 (2006.01)

一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含具有复合结构单元的树脂(G)和溶剂,上述复合结构单元具有含芳香族环的结构单元(A)和具有1个以上碳原子的结构单元(B),上述树脂(G)是通过在上述结构单元(A)的构成上述芳香族环的碳原子与上述结构单元(B)中的碳原子之间生成共价键的反应而得的树脂,上述结构单元(A)包含含有具有3个以上芳香族烃环的双酚骨架的结构单元(A‑I),上述结构单元(B)包含具有与上述结构单元(A)的构成上述芳香族环的碳原子结合的季碳原子的结构单元(B‑I)。

§ Ⅵ

专利附图

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