用于增进光刻胶附着之下方层处理

本公开大体涉及集成电路的制造。更特定言之，本文描述的实施方式提供了用于形成具有降低的sp2杂化碳含量的抗蚀剂下方层以用于增进EUV平版印刷性能的技术。在一个实施方式中，提供了一种处理基板的方法。所述方法包括使抗蚀剂下方层气体混合物流动到具有基板的处理腔室中，并且通过施加第一RF偏压在所述处理腔室中产生等离子体以在所述基板上形成抗蚀剂下方层。