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制造多层电子元件和单元片材的方法

发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

崔镛昰; 裵硕; 李晶基

申请日

Feb 27, 2025

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H01G 4/008 (2006.01)H01G 4/005 (2006.01)H01G 4/12 (2006.01)H01G 4/30 (2006.01)

根据本发明的一个实施方案,多层电子元件包括第一外部电极、第二外部电极以及设置在所述第一外部电极与所述第二外部电极之间的多个单元片材,其中所述单元片材中的每一个包括镍(Ni)电极层和形成在所述镍(Ni)电极层上的钛酸钡(BaTiO)介电层,并且所述镍(Ni)电极层与所述钛酸钡(BaTiO)介电层的厚度比为1:1至1:300。