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正极极片、二次电池和电子装置

发明专利未知
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

刘晓欠; 韩冬冬

申请日

Feb 14, 2025

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H01M 4/62 (2006.01)

本申请提供了一种正极极片、二次电池和电子装置,正极极片包括正极集流体及设置于正极集流体至少一个表面上的正极活性材料层,正极活性材料层包括正极导电剂,正极导电剂包括具有枝状结构的碳纳米管;碳纳米管的管径为3nm至15nm;碳纳米管中最长枝干的长度为5μm至30μm。通过上述设置,正极极片具有良好的导电性,将正极极片用于二次电池中,二次电池具有较低的内阻。