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二硅化钼系陶瓷发热体、陶瓷的制造方法以及二硅化钼系陶瓷发热体的制造方法
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H05B 3/14 (2006.01)C04B 35/58 (2006.01)
一种二硅化钼系陶瓷发热体，其中，所述二硅化钼系陶瓷发热体具有：母材，含有（MoW）Si（x满足0.30≤x＜0.40）；以及氧化皮膜，覆盖所述母材的表面而形成，含有SiO和Al，Al含量为200质量ppm以上，W含量为30质量％～37质量％。