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半导体装置
发明专利未知
11权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
肥冢纯一; 岛行德; 中田昌孝; 佐藤学; 土桥正佳; 神长正美
申请日
Apr 3, 2025
公开日
Oct 20, 2026
IPC 分类
H10D 30/67 (2006.01)G02F 1/1343 (2006.01)G02F 1/1368 (2006.01)G09F 9/30 (2006.01)H10K 59/121 (2006.01)
提供一种占有面积小的半导体装置。半导体装置包括晶体管以及第一绝缘层。晶体管包括导电层及金属氧化物层。第一绝缘层位于导电层上。第一绝缘层具有与导电层的顶面接触的端部。第一绝缘层包括第二绝缘层及第二绝缘层上的第三绝缘层。金属氧化物层具有与导电层的顶面接触的端部、与第二绝缘层的侧面接触的端部、与第三绝缘层的侧面接触的端部及与第三绝缘层的顶面接触的端部。第三绝缘层具有含氢量比第二绝缘层多的区域。