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铜互连件内的薄膜电阻器集成
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10D 80/20 (2006.01)H10D 1/40 (2006.01)H10D 1/00 (2006.01)
在一个实例中，一种集成电路(IC) (100)包括位于半导体衬底(102)上方的介电层(122)、位于所述介电层(122)上方的电阻层(124)、位于所述电阻层(124)的端头端(123A)上方的金属互连迹线(138A)、从所述金属互连迹线(138A)朝向所述电阻层(124)延伸的通孔(134A)，以及位于所述通孔(134A)与所述电阻层(124)之间的金属阻挡层(130)。