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等离子体蚀刻方法

发明专利未知
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10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

佐藤大辅; 北村绫彩; 山田裕树

申请日

Sep 22, 2025

公开日

Oct 20, 2026

IPC 分类

H10P 50/24 (2026.01)

提供能够在碳材料存在下或氧化硅材料存在下使用氟化碘以高的蚀刻速度将硅进行蚀刻的等离子体蚀刻方法。等离子体蚀刻方法具备使用将蚀刻气体等离子体化而获得的等离子体,在碳材料或氧化硅材料的存在下进行硅的等离子体蚀刻的蚀刻工序。蚀刻气体含有氟化碘和含氢化合物,含氢化合物为在分子内具有氢原子并且在分子内不具有氧原子的化合物。