一种热力学调控制备多种{111}晶面主导的Au纳米片的合成方法及应用

本发明涉及纳米材料合成技术领域，具体公开一种热力学调控制备多种{111}晶面主导的Au纳米片的合成方法及应用。合成方法包含单晶球形Au种子制备以及恒定高温种子介导热力学生长两步；种子介导生长阶段恒定140℃左右，高温构建热力学主导生长环境，兼具PVP弱还原性与表面封端作用；通过改变Au前驱体投料量，减缓还原动力学，依次获得主要暴露{111}晶面的Au三边纳米片、六边纳米片和十八边纳米片；产物为单晶，纳米片上下基面为{111}晶面。本发明还公开利用上述Au纳米片的SERS检测方法，以该Au纳米片构筑SERS活性基底，可实现罗丹明B和4‑ATP分子的痕量检测，罗丹明B检测限可达10mol/L，4‑ATP检测限可达10mol/L；本发明产物还可应用于电催化电极、等离子体光电器件等领域。