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一种晶圆抛光方法及晶圆抛光设备

发明专利未知
12权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

李星; 王佳平; 王超; 王广勇

申请日

Jul 30, 2026

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

B24B 29/02 (2006.01)B24B 1/00 (2006.01)B24B 41/00 (2006.01)B24B 49/16 (2006.01)

本发明提供一种晶圆抛光方法及晶圆抛光设备,抛光方法包括:在第一抛光阶段,检测晶圆表面的反射光强的平均值,并在所述平均值低于第一阈值时进入第二抛光阶段;在第二抛光阶段,将晶圆表面划分为多个分区,以抛光盘旋转至少一圈为一个调压周期,在每一个所述调压周期内执行以下步骤:确定各分区的反射光强;将反射光强最小的一个分区确定为参考分区,其他分区为调压分区;分别计算各调压分区与参考分区的反射光强的差值;根据所述差值在预先建立的调压表中查询对应的调压记录;根据查询到的调压记录中的压力值确定该调压分区的压力调整值;根据压力调整值调节该调压分区的抛光压力。本发明能够减少晶圆表面膜层残留和形貌异常。

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