CNIPA.AI
返回搜索
档案

一种阴离子掺杂的无铅压电陶瓷及其制备和应用

发明专利未知
8权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

吴波; 陶红; 薛皓月; 陈浩; 马健; 赵林

申请日

Sep 22, 2026

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

C04B 35/495 (2006.01)H10N 30/097 (2023.01)H10N 30/853 (2023.01)

本发明涉及压电陶瓷技术领域,特别是涉及一种阴离子掺杂的无铅压电陶瓷及其制备和应用,无铅压电陶瓷具有阴离子掺杂构建的弛豫铁电结构;其化学通式为0.93KNaLiNbO‑0.07CaAOF,A为Zr,为CaF替代CaCO的摩尔百分数,0<≤100%。本发明通过阴离子掺杂在铌酸钾钠陶瓷基体中构建弛豫铁电结构,实现介电性能、压电性能、电致应变性能等宽温区功能物性的可调控。

登录后阅读全文

已显示权利要求 1。免费注册即可阅读全部 8 项权利要求、说明书全文、全部附图、翻译和法律状态。

  • 全部权利要求
  • 技术领域
  • 背景技术
  • 发明内容
  • 附图说明
  • 具体实施方式