真空吸盘用中等电阻率无压烧结碳化硅陶瓷及其制备方法

本发明涉及碳化硅陶瓷领域，公开了真空吸盘用中等电阻率无压烧结碳化硅陶瓷及其制备方法，该真空吸盘用中等电阻率无压烧结碳化硅陶瓷的制备方法包括以下步骤：取碳化硅粉体、改性碳化硅纳米线、氮化硼粉体、酚醛树脂溶液和酚醛树脂基添加剂球磨混料，混料结束后将混合均匀的浆料置于烘箱内烘干，待粉体干燥后过筛备用；将过筛后的粉料置于模具中，经200~207MPa等静压进行压实获得素坯，将压制好的素坯置于真空管式炉中，置于700℃下保温3h进行碳化处理，将碳化后的坯体置于无压烧结炉中，在氮气分压下烧结1~2h制成，本发明通过改性碳化硅纳米线和酚醛树脂基添加剂的引入有利于提升无压烧结碳化硅陶瓷的力学强度和断裂韧性。