一种交联型半导电屏蔽料及其制备方法

本发明公开了一种交联型半导电屏蔽料及其制备方法，涉及高分子材料技术领域，按质量份数计，包括以下组分：烯烃基体树脂80～85份、齐聚物接枝改性导电炭黑18～22份、过氧化物交联剂1.0～1.5份、加工助剂0.5～1.0份。本发明通过双键封端1‑辛烯齐聚物对导电炉法炭黑进行熔融接枝改性，使炭黑表面形成碳‑碳共价键结合的齐聚物分子链层，在基体共混过程中齐聚物分子链与乙烯‑1‑辛烯共聚物基体形成拓扑缠结，冷却过程中诱导界面结晶层生长，提高炭黑与基体的界面结合强度以及导电网络在冷热循环和热老化条件下的稳定性，可以解决半导电屏蔽料中炭黑与基体界面结合弱、长期运行过程中电阻率漂移大、炭黑易迁移脱粘的问题。