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一种铬络合物单晶的培养方法
发明专利未知
4权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
C30B 7/06 (2006.01)C30B 29/54 (2006.01)
本发明涉及化学合成技术领域,具体涉及一种铬络合物单晶的培养方法。包括以下步骤:在氮气氛围下,将NaH和(R)‑2‑L6反应,并加入DME,再向溶液中加入铬的氯化物,并在氮气氛围下搅拌,滴加无水戊烷和正己烷后,使体系呈现分层状态,密封静置,正己烷缓慢挥发后,得到铬络合物单晶。本发明构建了从新配体设计到高质量单晶培养的完整技术链条,所获得的单晶数据不仅填补了双核三羰基铬络合物晶体学参数的空缺,其精确的分子构型信息还可为后续作为候选药物、金属基生物探针或不对称催化手性配体的实际应用提供关键结构支撑,具有较高的科学价值和应用前景。
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