基于界面形态实时调控的重掺锑单晶硅生长系统及其方法

本发明涉及一种基于界面形态实时调控的重掺锑单晶硅生长系统及其方法，所属半导体单晶硅晶棒制备技术领域，该方法包括利用红外热像仪实时采集生长界面热场图像；通过图像处理算法识别固液交界等温线并计算实时曲率半径R，定义凹向熔体时为负值；将R与基于晶体直径D设定的目标范围[‑3D，‑1.5D]进行比较；若R>‑1.5D则提高拉速和/或加热器功率，若R<‑3D则降低拉速和/或加热器功率，若在范围内则维持参数，形成闭环控制。克服了长晶过程中热场漂移导致的开环控制失效问题，通过量化曲率目标与动态双向调整，主动维持界面始终处于微凹形态，彻底消除了重掺锑单晶硅的中心杂质管道缺陷，使径向电阻率均匀性小于5%，显著提升了产品良率。