一种高压液相法生长氧化镓外延的方法、外延片和电子器件

本发明涉及外延片技术领域，具体而言，涉及一种高压液相法生长氧化镓外延的方法、外延片和电子器件。高压液相法生长氧化镓外延层的方法包括：在惰性气氛下，将至少装有金属镓的坩埚进行加热，得到液态的镓熔体；在含氧气的高压气氛下，将衬底与镓熔体接触，进行p型外延层或n型外延层的液相外延生长，得到氧化镓外延层；生长p型外延层时，含氧气的高压气氛中还含有含氮元素气体；生长n型外延层时，坩埚中还含有金属锡。该方法能在同一平台上实现氧化镓外延层n型与p型导电类型的灵活切换，且兼顾外延层的结晶质量与生长效率，显著降低位错、层错等结晶缺陷的密度。