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一种Sb(SeO)(HSeO)晶体形式及其制备方法和应用
发明专利未知
10权利要求 · 5 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
C30B 29/22 (2006.01)C30B 7/14 (2006.01)G02B 5/30 (2006.01)G02B 27/28 (2006.01)
本发明公开了一种Sb(SeO)(HSeO)晶体形式及其制备方法和应用，所述Sb(SeO)(HSeO)晶体为具有中心对称结构的晶体；使用Cu‑Kα辐射，所述Sb(SeO)(HSeO)晶体的PXRD图谱包括在2θ为6.06°、12.10°、25.52°、27.42°、31.92°、36.92°、43.22°、44.84°、54.32°、54.78°、56.52°和67.38°处具有特征衍射峰，其中2θ值的误差为±0.2°。本发明中的Sb(SeO)(HSeO)晶体在波长546nm处的理论计算双折射率为0.350，在实现相同相位延迟效果时，所需晶体厚度更小，便于光学器件向微型化方向发展。
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