一种掺杂氧化镓粉末的制备方法及其应用

本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体而言，涉及一种掺杂氧化镓粉末的制备方法及其应用。所述的掺杂氧化镓粉末的制备方法，包括以下步骤：（a）将氯化镓固体进行第一烧结处理；（b）将所述第一烧结处理后的产物进行第一脉冲气态掺杂处理、第二脉冲气态掺杂处理、氧化处理、扩散均化处理和冷却。所述的掺杂氧化镓粉末的制备方法，在氧化镓的固相烧结阶段，以气态掺杂源的形式、采用脉冲式多次注入的方式引入掺杂元素，实现掺杂元素在氧化镓晶格形成过程中的原位掺杂。