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一种凹槽式电容芯片结构
发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
姜贵民; 张海; 李春峰; 张振华; 张爽; 刘洋; 姜亭伊
申请日
Dec 29, 2023
公开日
Oct 27, 2026
IPC 分类
G01L 1/14 (2006.01)G01L 9/12 (2006.01)
一种凹槽式电容芯片结构属于微机电系统(MEMS)技术领域，尤其涉及一种凹槽式电容芯片结构。本发明提供一种性能更好的凹槽式电容芯片结构。本发明包括上极板(02)、下极板(01)、腔体和第一介质层(03)，其特征在于下极板(01)上设置凹槽(04)，凹槽(04)边缘(15)上设置第一介质层(03)，第一介质层(03)上端设置上极板(02),上极板(02)与下极板(01)、第一介质层(03)之间为腔体,上极板(02)与下极板(01)周边之间通过第一介质层(03)相连,腔体的侧壁由凹槽(04)的侧壁和第一介质层(03)内壁组成；上极板(02)为感压极板，上极板(02)与下极板(01)形成感压可变电容。
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