一种车规级高精度防漏电流的压阻式压力传感器芯片的制备工艺

本发明涉及一种车规级高精度防漏电流的压阻式压力传感器芯片的制备工艺。本发明包括制备支撑硅片、埋氧绝缘层和顶硅的SOI衬底结构；在SOI衬底结构的正面和背面生长薄氧化层；通过分区硼离子注入和梯度退火，在顶硅中形成低量程压敏区和高量程压敏区；通过磷离子注入和退火形成环绕压敏区的N型重掺杂屏蔽层；沉积并图形化电连接金属层、介质膜、铂电阻薄膜结构、电隔离层和外部连接PAD结构；自背面刻蚀形成背面释放腔体，并在埋氧绝缘层下方的支撑硅区域形成内嵌纳米金刚石高散热结构。本发明能够在单芯片上兼顾宽量程压力检测、高效散热、电磁屏蔽、温度补偿及表面除湿除尘，提高复杂工况下的压力检测精度和长期稳定性。