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一种多功能复合压阻式压力传感器芯片

发明专利未知
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

杨绍松; 刘同庆

申请日

Jul 30, 2026

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

G01L 9/06 (2006.01)G01L 19/06 (2006.01)G01L 19/02 (2006.01)G01L 19/00 (2006.01)

本发明涉及一种多功能复合压阻式压力传感器芯片。本发明包括SOI衬底结构、顶层薄氧化层、低量程压敏区、高量程压敏区、屏蔽层、压敏区电连接金属层、介质膜、铂电阻薄膜结构、电隔离层、外部连接PAD结构、背面释放腔体和内嵌纳米金刚石高散热结构。低量程压敏区和高量程压敏区均包括P+结构和P‑型压敏电阻;屏蔽层与顶硅中的P型硅区域形成反向隔离结;铂电阻薄膜结构位于芯片中心区域;内嵌纳米金刚石高散热结构位于埋氧绝缘层下方并与压敏区对应设置;P‑型压敏电阻呈蛇形结构。该芯片能够在同一芯片上实现双量程压力检测、温度检测与表面微加热、抗电磁干扰、高效散热以及高灵敏压力检测,适用于车规级复杂工况。

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