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一种抑制氟化钙晶体表面损伤增长速度的调控方法

发明专利未知
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

吴庆辉; 单翀; 苏良碧; 寇华敏; 姜大朋; 张中晗; 韩平

申请日

Sep 21, 2026

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

G01N 21/95 (2006.01)G01N 21/01 (2006.01)G05B 15/02 (2006.01)

本发明涉及一种抑制氟化钙晶体表面损伤增长速度的调控方法,包括对氟化钙晶体的入射面进行光热弱吸收测试,记录各测试位置的光热弱吸收调制因子及其空间分布;对光热弱吸收测试位置进行激光损伤测试,获取各测试位置的初始损伤形貌及损伤增长速度;根据损伤增长速度将初始损伤分为良性初始损伤和非良性初始损伤,计算得到区分良性初始损伤与非良性初始损伤的光热弱吸收调制因子临界阈值;对光热弱吸收调制因子超过临界阈值的位置进行刻蚀去除;重复进行光热弱吸收测试和离子束刻蚀加工,直至各位置的光热弱吸收调制因子均低于临界阈值。本发明可延长氟化钙晶体的服役寿命,并有助于扩展其在深紫外光刻及高功率激光系统中的应用范围。

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