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二硫化钼修饰铂电极、其制备方法、包含该电极的电化学发光免疫传感器及应用
发明专利未知
10权利要求 · 4 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
雷恒波; 曹翔; 黄昕宇; 唐玉国
申请日
Aug 12, 2026
公开日
Oct 27, 2026
IPC 分类
G01N 27/30 (2006.01)G01N 27/327 (2006.01)G01N 33/68 (2006.01)G01N 33/575 (2026.01)G01N 21/76 (2006.01)C23C 16/30 (2006.01)C23C 16/455 (2006.01)
本发明公开了一种二硫化钼修饰铂电极、其制备方法、包含该电极的电化学发光免疫传感器及应用,该二硫化钼修饰铂电极包括导电基底,以及通过原子层沉积工艺原位生长形成于所述导电基底表面的二硫化钼纳米涂层。本发明通过原子层沉积技术在电极基底上原位生长MoS,形成化学键合的牢固涂层,解决了传统滴涂法物理吸附层易脱落的问题,大幅提高了传感器的重复使用次数和长期稳定性。原位生长的MoS涂层能充分发挥其高催化活性和高比表面积优势,显著增强ECL信号;本发明结合MoS的信号放大作用、夹心免疫的特异性识别以及磁分离技术的高效富集,能实现对AFP的痕量检测。
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