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一种基于光电效应的KTP晶体绝热倍频方法

发明专利未知
8权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

刘恂; 刘建青; 郑南; 王东; 杨成松; 罗吉庆; 于琼; 陈姮

申请日

Aug 12, 2026

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

G02F 1/37 (2006.01)G02F 1/355 (2006.01)G02F 1/03 (2006.01)

本发明公开了一种基于光电效应的KTP晶体绝热倍频方法,属于非线性光学频率变换技术领域。包括:将KTP晶体沿通光方向加工为厚度线性变化的楔形晶体,楔形晶体的厚度由入射端至出射端线性增加;在楔形晶体的上下斜面制备连续平行的平板电极,向平板电极施加单一恒定高压脉冲,利用平板电极间距沿通光方向的连续变化,在楔形晶体内部形成空间单调递减的梯度电场;基于楔形晶体内部形成的空间单调递减的梯度电场,驱动基频光与倍频光之间的相位失配量沿通光方向从负值单调平滑变化至正值,且满足绝热稳定性判据,进入绝热状态。本发明通过梯形平板电极产生沿通光方向单调渐变的电场,使系统进入绝热状态,实现基频光到倍频光的高效率转换。

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