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基于FLASH模拟EEPROM的数据写入和数据加载方法

发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

郑茳; 肖佐楠; 匡启和; 顾盛

申请日

Aug 25, 2026

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

G06F 3/06 (2006.01)G06F 16/23 (2019.01)G06F 15/78 (2006.01)G11C 16/16 (2006.01)G11C 16/22 (2006.01)

本申请涉及一种基于FLASH模拟EEPROM的数据写入和数据加载方法,应用在嵌入式软件领域,包括当检测到对SRAM存储器中EEPROM模拟区域地址的写入请求时,获取对应的待写入数据及与待写入数据对应的目标地址;读取SRAM存储器中目标地址对应的当前数据;判断SRAM存储器中目标地址对应的当前数据与待写入数据是否一致;若当前数据与待写入数据不一致,则将待写入数据写入SRAM存储器中的目标地址;当FLASH存储器为空闲状态时,根据两个存储块的存储状态写入待写入数据和对应的目标地址,并生成对应的数据写入标识。本申请具有的技术效果:实现断电后数据查验,提高数据写入和数据加载过程的安全性。

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