工艺腔室和半导体加工设备

本发明公开了一种工艺腔室和半导体加工设备。该工艺腔室包括真空腔体和环绕于所述真空腔体外部的射频线圈，所述工艺腔室还包括：法拉第屏蔽罩，位于所述真空腔体与所述射频线圈之间，所述法拉第屏蔽罩的罩壁设有轴向的异形通槽，其中，所述异形通槽靠近所述射频线圈的第一端的开口小于其远离所述射频线圈的第二端的开口。本发明能够在启辉阶段时向腔内提供足够的径向电场确保顺利启辉，同时还能在工艺阶段时抑制射频线圈附近的多余的径向电场外泄，从而不仅提高了腔内等离子体放电效率，还降低了等离子体对腔室内壁的腐蚀损伤。