一种半导体激光器及其制备方法、控制方法

本发明公开一种半导体激光器及其制备方法、控制方法，属于半导体光电子技术领域。器件仅设单一光学谐振腔，由衬底、底部反射镜、多结有源增益结构、腔内光学调制器、顶部反射镜层叠而成，配备底部、中间、顶部三端电极。多结有源区包含至少两组隧道结串联的增益结，可大幅提升腔内增益，补偿调制器引入的额外损耗；腔内光学调制器可选半导体电吸收或石墨烯调制结构，可布置在有源区两侧或嵌入反射镜中。器件采用恒压驱动有源区稳定激射，通过中间电极施加可变电压调控腔内光吸收，实现高速光调制。本发明摒弃耦合腔结构，消除模式分裂、工艺敏感等问题。