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基于忆阻器交叉阵列的阻抗注入型振荡抑制器

发明专利未知
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

夏桂涛; 李婷

申请日

Jul 8, 2026

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

H02J 3/001 (2026.01)H02J 3/17 (2026.01)H02J 3/38 (2026.01)H02J 1/00 (2026.01)H02J 4/00 (2026.01)

本发明涉及电力电子系统稳定性控制技术领域,提供基于忆阻器交叉阵列的阻抗注入型振荡抑制器,包括:忆阻器交叉阵列,具有多个沿行方向和列方向排布的忆阻器单元,各忆阻器单元的电阻值被配置为响应于施加于其上的编程脉冲而连续改变;并行编程驱动电路,与忆阻器交叉阵列的行线和列线电连接,被配置为接收阻抗重构指令并向选定的忆阻器单元施加编程脉冲;宽频阻抗感知网络,耦合于目标母线;注入接口,具有输入端和输出端,输入端与忆阻器交叉阵列的输出端口电连接,输出端被配置为耦合于目标母线;编程控制单元,与宽频阻抗感知网络和并行编程驱动电路通信连接。解决变流器群并网系统中宽频振荡的物理阻尼在线连续合成与无冲击注入问题。

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