一种多芯片并联高均流的功率模块

本发明公开了一种多芯片并联高均流的功率模块，属于功率半导体器件技术领域；包括底板、基板、上桥芯片及下桥芯片、铜夹扣、功率端子及信号pin，所述上桥芯片呈圆形分布在所述基板的一侧，所述下桥芯片呈圆形分布在所述基板的另一侧；所述SiC MOSFET芯片的栅极和开尔文源极电极朝向圆形中心呈聚集形状；所述基板第一铜层上设有栅极覆铜区域和开尔文源极覆铜区域，所述芯片的栅极和开尔文源极通过键合线连接至相应覆铜区域后，由信号Pin直接引出；本发明通过将并联芯片呈圆形聚集分布，并使栅极和开尔文源极信号通过信号Pin直接引出，有效提升了多芯片之间驱动回路寄生参数的一致性，从而显著改善了功率模块的动态均流性能及可靠性。