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包括位线和栅极结构的半导体装置

发明专利未知
20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

姜钟仁; 尹灿植

申请日

Dec 31, 2025

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

H10B 12/00 (2023.01)H10B 61/00 (2023.01)H10B 63/10 (2023.01)H10B 63/00 (2023.01)

一种半导体装置,包括:衬底,其包括单元区和外围区;有源图案,其位于衬底的单元区上;位线,其沿方向在有源图案上延伸;以及外围栅极结构,其位于外围区上。位线包括连接到有源图案的第一导电图案和位于第一导电图案上的第一金属图案。外围栅极结构包括位于衬底的外围区上的外围栅极介电层、位于外围栅极介电层上的外围导电图案和位于外围导电图案上的外围金属图案。外围金属图案的厚度大于第一金属图案的厚度。

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