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半导体结构及其制造方法、存储器系统
发明专利未知
19权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10B 41/27 (2023.01)H10B 43/27 (2023.01)H10B 41/41 (2023.01)H10B 41/35 (2023.01)H10B 43/40 (2023.01)H10B 43/35 (2023.01)
本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器系统，该半导体结构包括：堆叠结构，包括交替堆叠设置的栅极结构和第一介质层；沟道结构，沿第一方向贯穿堆叠结构；沟道结构包括沿第二方向依次设置的沟道层、隧穿层、存储层、功能层和阻挡层；其中，第二方向与第一方向相交。
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