半导体结构的形成方法

一种半导体结构的形成方法，包括：在存储区的阻挡氧化层上形成栅极；形成栅极之后，对第一逻辑区的电荷存储层进行氧化处理，形成氧化材料层，位于第一逻辑区的氧化层和隧穿氧化层构成栅氧化层；由于基底上依次形成有隧穿氧化层和电荷存储层，对第一逻辑区的电荷存储层进行氧化处理，以形成氧化层，氧化层与隧穿氧化层共同构成第一逻辑区的栅氧化层，在栅氧化层的最终厚度相同的前提下，与直接氧化第一逻辑区的基底以形成该栅氧化层的方案相比，本申请能够缩短高温氧化工艺的加热时间，从而降低热预算，提高制造效率。