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一种低电弧放电高压电容器件及其制备方法

发明专利未知
9权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

相广凯

申请日

Jul 28, 2026

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

H10D 1/68 (2025.01)

本申请涉及一种低电弧放电高压电容器件及其制备方法。所述制备方法包括提供初始晶圆,初始晶圆的晶圆背面衬底上方形成有氧化硅‑氮化硅‑氧化硅复合三层绝缘叠层;对晶圆的背面进行选择性湿法刻蚀处理,通过刻蚀将背面完整的三层绝缘叠层全部剥离,刻蚀终止于背面的多晶硅膜表层;通过支撑构件将晶圆整体抬离设备承载台面,对背面完成介质剥离的晶圆实施悬空式等离子灰化处理,去除晶圆表面残留光刻胶与刻蚀衍生副产物。本申请解决了电荷积累导致的局部电场畸变问题,静电卡盘电流完全平稳无波动,电弧放电发生率降至零,大幅提升良率减少颗粒污染;且该方法不改变正面工艺参数,与现有工艺完全兼容,改造成本低易于量产。

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