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III族氮化物晶体管器件
发明专利未知
20权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
S·罗伊; A·科尔韦罗希特勒; D·K·曼恩; M·伯姆
申请日
Apr 24, 2026
公开日
Oct 27, 2026
IPC 分类
H10D 30/47 (2025.01)H10D 30/01 (2025.01)H10D 1/47 (2025.01)
公开了III族氮化物晶体管器件。在实施例中,提供了一种III族氮化物晶体管器件,其包括:III族氮化物主体,III族氮化物主体包括贡献于负载开关的有源区、III族氮化物沟道层和布置在III族氮化物沟道层上并且在其间形成异质结的III族氮化物势垒层;布置在III族氮化物势垒层上的源极指状物、栅极指状物和漏极指状物;电耦合到源极指状物的源极焊盘、耦合到栅极指状物的栅极焊盘和耦合到漏极指状物的漏极焊盘;以及电耦合在晶体管器件的栅极焊盘和栅极指状物之间的栅极电阻器。栅极电阻器至少部分地位于晶体管器件的有源区上。
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