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一种氮化镓双向电子器件

发明专利未知
6权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

朱凤前; 周琦; 周静贵; 张波

申请日

Jul 28, 2026

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

H10D 30/47 (2025.01)H10W 74/10 (2026.01)H10D 64/27 (2025.01)

本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种氮化镓双向电子器件。本发明提出了一种氮化镓双向电子器件,降低了器件控制复杂度,能够使得器件更加容易应用,极大地简化了双向开关器件的控制逻辑。本发明采用单个栅极控制双向电子器件,即左右两个p‑GaN都通过同一栅极进行控制,在中低电压应用场景例如10V‑100V时,能够使得栅极控制更加简单。

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