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耐高压终端结构及其制造方法

发明专利未知
20权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

陈志鹏; 高盼盼; 覃源

申请日

Aug 28, 2026

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

H10D 62/10 (2025.01)H10D 62/00 (2026.01)H10D 8/60 (2025.01)H10D 8/01 (2025.01)H10D 30/01 (2025.01)H10D 30/60 (2025.01)H10D 64/00 (2025.01)H10D 64/01 (2025.01)

本发明提供了一种耐高压终端结构及其制造方法,其中,耐高压终端结构包括:N型衬底;外延生长于N型衬底上的N型漂移层;形成于N型漂移层上的场氧层;形成于场氧层上的多晶硅螺旋场板;形成于多晶硅螺旋场板上的层间介质层;以及形成于所述层间介质层上的阴极和阳极;其中,N型漂移层中设置有横向变掺杂的P型区域,多晶硅螺旋场板的配线内由向外呈螺旋状延伸。本发明的目的在于克服现有的缺陷而提供一种耐高压终端结构及其制造方法,以提高终端结构的击穿电压,并降低混合结终端的工艺复杂性。

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