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半导体器件和制造半导体器件的方法
发明专利未知
10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
王毓萱; 卢炜业; 黄俊贤; 朱立伟; 许宏彰; 李弘贸; 林威戎; 张志维
申请日
Jun 30, 2026
公开日
Oct 27, 2026
IPC 分类
H10D 84/85 (2025.01)H10D 84/01 (2026.01)
根据各个实施例，制造半导体器件的方法包括将第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构暴露于选择性沉积材料，其中，第一源极/漏极结构包括第一导电类型掺杂剂，并且第二源极/漏极结构包括第二导电类型掺杂剂，并且允许第一硅化物层形成在第一源极/漏极结构上，而由于选择性沉积材料的沉积选择性，在第二源极/漏极结构上不形成硅化物层。根据各个实施例，第一源极/漏极结构的高度和第一源极/漏极结构的宽度不同，并且第一源极/漏极结构延伸至半导体结构中。本申请的实施例还涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。
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