异质集成互补半导体器件及其制备方法

本发明公开了一种异质集成互补半导体器件及其制备方法。所述异质集成互补半导体器件包括：异质结器件，所述异质结器件包括衬底、异质结、p型半导体层以及栅电极；其中，所述异质结位于所述衬底一侧；所述p型半导体层位于所述异质结远离所述衬底的一侧；所述栅电极位于所述p型半导体层远离所述衬底的一侧；栅极绝缘层，位于所述栅电极远离所述衬底的一侧；p型沟道层，位于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧，所述p型沟道层的材料包括氧化碲；第一源极以及第一漏极，均位于所述p型沟道层远离所述衬底的一侧。本发明能够提高异质集成互补半导体器件的良率。