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太空异质结太阳能电池及其制作方法

发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

申请人

理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司

发明人

马哲国; 陈金元; 汪训忠; 吴科俊

申请日

Jul 27, 2026

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

H10F 71/00 (2025.01)H10F 77/122 (2025.01)H10F 10/16 (2025.01)

本发明公开太空异质结太阳能电池及其制作方法。所述太空异质结太阳能电池包括单晶硅片,所述单晶硅片的正面上依次形成有第一本征非晶硅层、N型微晶硅层、第一透明导电膜层以及第一电极,所述单晶硅片的反面上依次形成有第二本征非晶硅层、P型微晶硅层、第二透明导电膜层以及第二电极,所述单晶硅片上宽度为0.2mm~0.8mm的边缘区域及侧面上的绒面被抛光去除并且覆盖有氧化硅钝化层。本发明能降低TCO膜去除成本,并且避免干法刻蚀TCO膜导致的离子损伤以及氟残留污染,并且有效去除切割损伤,提高电池及组件的抗弯折能力、电性能及转换效率。

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