返回搜索
档案
太空异质结太阳能电池及其制作方法
发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
马哲国; 陈金元; 汪训忠; 吴科俊
申请日
Jul 27, 2026
公开日
Oct 27, 2026
IPC 分类
H10F 71/00 (2025.01)H10F 77/122 (2025.01)H10F 10/16 (2025.01)
本发明公开太空异质结太阳能电池及其制作方法。所述太空异质结太阳能电池包括单晶硅片,所述单晶硅片的正面上依次形成有第一本征非晶硅层、N型微晶硅层、第一透明导电膜层以及第一电极,所述单晶硅片的反面上依次形成有第二本征非晶硅层、P型微晶硅层、第二透明导电膜层以及第二电极,所述单晶硅片上宽度为0.2mm~0.8mm的边缘区域及侧面上的绒面被抛光去除并且覆盖有氧化硅钝化层。本发明能降低TCO膜去除成本,并且避免干法刻蚀TCO膜导致的离子损伤以及氟残留污染,并且有效去除切割损伤,提高电池及组件的抗弯折能力、电性能及转换效率。
登录后阅读全文
已显示权利要求 1。免费注册即可阅读全部 10 项权利要求、说明书全文、全部附图、翻译和法律状态。
- 全部权利要求
- 技术领域
- 背景技术
- 发明内容
- 附图说明
- 具体实施方式