异质半导体结构及其制造方法

本发明公开一种适用于光学应用的异质半导体结构及其制造方法。制造方法包含以真空外延系统在一真空条件下，于一基板上外延形成由三维半导体材料构成的一第一外延薄膜；以及于所述真空外延系统中，在维持且未破除所述真空条件下于所述第一外延薄膜上，外延形成由二维半导体材料所构成的一第二外延薄膜。其中，所述基板为氧化物单晶基板，所述三维半导体材料为具有三维晶体结构的N型半导体材料，并且所述二维半导体材料为具多层层状晶体结构的P型半导体材料，借此能有效提升异质半导体结构中二维与三维材料之界面的洁净度与外延质量。