一种LED芯片的制备方法和LED芯片

本申请提供了一种LED芯片的制备方法和LED芯片，涉及LED芯片技术领域，该制备方法在制备正装LED时，进行离子源预处理之前，对P型层被第一部分的图形化区域所裸露的区域进行钝化处理，在该裸露区域远离衬底的一侧形成高阻的钝化区域，该钝化区域用于与金属电极相接，杜绝了外延结构中与上述P型层裸露区域相对应的部分在离子源预处理过程中产生漏电通道。因此，该制备方法制备正装LED时，可以采用离子源预处理对由外延结构和电流控制层构成的片源进行处理，增强片源与金属电极的金属粘接层之间的粘附力，进而可以减薄甚至去除金属电极中的粘结金属层，提高金属电极的反射率，且有助于金属电极与片源表面形成更佳的欧姆接触。