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钙钛矿结构层的制备方法及发光二极管
发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
梁晓鹏; 杨帆; 张捷; 张一川; 宋忠铭
申请日
Aug 31, 2026
公开日
Oct 27, 2026
IPC 分类
H10K 71/12 (2023.01)H10K 50/11 (2023.01)
本公开涉及钙钛矿发光二极管技术领域,具体涉及一种钙钛矿结构层的制备方法及发光二极管。制备方法包括:将氯代烃和亲核试剂混合以进行亲核取代反应,并形成离子交换溶液,离子交换溶液包括氯离子;将离子交换溶液涂覆在钙钛矿薄膜表面,离子交换溶液中的氯离子与钙钛矿薄膜表面的溴离子交换,以将钙钛矿薄膜表面的部分溴离子替换为氯离子,并获得钙钛矿结构层以及形成于钙钛矿结构层表面的混合溶液,混合溶液包括溴代烃和亲核试剂;氯代烃和溴代烃的极性不大于4。本公开通过温和的原位亲核取代反应实现可控氯掺杂与卤素交换,在减少或避免对钙钛矿晶体损伤的前提下,同步优化深蓝光钙钛矿发光二极管的色纯度、发光效率与工作稳定性。
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