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薄膜的制备方法以及半导体制品
发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10P 14/24 (2026.01)H10P 14/20 (2026.01)
本公开提供了一种薄膜的制备方法以及半导体制品,属于半导体技术领域。所述制备方法包括:将晶圆置于反应腔内;在所述反应腔内顺序进行多个等离子体沉积过程,以在所述晶圆表面形成薄膜,在相邻两个所述等离子体沉积过程之间,对所述晶圆进行原位气体吹扫。本公开可以改善薄膜的膜层均匀性。
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