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承载结构及半导体工艺腔室
发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
H10P 72/00 (2026.01)H10P 72/76 (2026.01)
本申请公开了一种承载结构及半导体工艺腔室,涉及半导体领域。一种承载结构,包括:第一壳体和第二壳体;所述第一壳体与所述第二壳体扣合连接,围成用于容纳晶圆的容纳腔;所述第一壳体具有背离所述第二壳体的第一壁面,所述第一壁面设有多个第一凹槽;和/或,所述第二壳体具有背离所述第一壳体的第二壁面,所述第二壁面设有多个第二凹槽。本申请至少能够解决晶圆加热效率低等问题。
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