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重掺磷砷衬底外延晶圆的针孔缺陷检测方法

发明专利未知
8权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

任梦

申请日

Jul 10, 2026

公开日

Oct 27, 2026

IPC 分类

H10P 74/20 (2026.01)G01N 21/95 (2006.01)G01N 21/88 (2006.01)G01N 21/21 (2006.01)G01N 21/49 (2006.01)H10P 74/00 (2026.01)

本发明涉及一种重掺磷砷衬底外延晶圆的针孔缺陷检测方法,所属半导体晶圆检测技术领域,针对现有SPX设备单一光学检测对重掺晶圆误判率高、微小针孔易漏检以及化学腐蚀破坏性检测无法量产全检的问题,对待测晶圆进行无损清洗预处理后,基于现有SPX设备平台同步开启暗场散射、相位差及偏振光学成像通道,以屏蔽高载流子背景噪声并采集多通道信号;随后通过多维度协同特征算法筛选,当缺陷区域同时满足暗场信号突变、相位差阶跃变化及偏振信号显著衰减时判定为针孔,仅单一通道异常的颗粒、划痕等伪缺陷予以剔除;最后输出二元化筛查结果。实现非破坏性量产全检,精准区分针孔与伪缺陷,大幅降低误判及漏检率,复用现有硬件成本低且不影响产线节拍。