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半导体结构及其形成方法
发明专利未知
16权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
王晓东; 岳亚妹; 任洁慧; 周哲; 黄曦
申请日
Apr 17, 2025
公开日
Oct 27, 2026
IPC 分类
H10W 44/00 (2026.01)H10W 20/40 (2026.01)H10D 1/68 (2025.01)
一种半导体结构及其形成方法,半导体结构包括:基底;器件金属层,包括第一电极和第二电极,第一电极和第二电极均包括梳柄部以及与梳柄部相连的多个梳齿部,第一电极和第二电极的梳柄部沿第二方向延伸且在第一方向上相背设置,多个梳齿部沿第一方向延伸且沿第二方向并列排布;信号加载线,沿第一方向分别位于器件金属层两侧,信号加载线分别与第一电极和第二电极的梳柄部电连接,信号加载线包括沿用于加载信号的加载端,信号加载线包括一个或多个沿第二方向延伸且沿第一方向平行排布的端线,端线的长度小于梳柄部的长度,信号加载线还包括由加载端沿第一方向穿过端线延伸至梳柄部的连线。本发明有利于提高半导体结构的品质因子。
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