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用于控制FET的方法和设备
发明专利未知
31权利要求 · 23 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
F·佩蒂; A·范格特; T·G·布伊; C·德洛赫特; A·奥特; S·卡玛埃巴赫玛埃; I·洛马金
申请日
Mar 18, 2025
公开日
Oct 27, 2026
IPC 分类
G01N 27/414 (2006.01)
本发明涉及一种栅极驱动器系统(100),该栅极驱动器系统(100)用于驱动与液体接触的场效应晶体管(110)的栅极(112)。该系统(100)包括场效应晶体管,该场效应晶体管具有栅极(112)、用于偏置的源极(111)和漏极(113)。该系统的特征在于第一驱动电极(120),该第一驱动电极用于施加驱动信号以在栅极处获得电压。第一感测电极(130)用于测量栅极电压,提供指示该电压的第一反馈信号。该第一驱动电极和/或第二驱动电极为片上金属电极。反馈控制系统(140)被并入,以通过使用第一反馈信号控制第一驱动电极来调节栅极电压。该系统(100)被设计为确保栅极电压的精确控制。
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